K4B4G1646D-BCK0各种计算环境:
三星K4B4G1646D-BCK0业界首款DDR3开发于2005年，是最常用的系统解决方案，从个人电脑和家用电器到汽车和医疗设备。
高速和高性能
- DDR2的带宽加倍
三星K4B4G1646D-BCK0的增强带宽和可靠性推动了广泛的应用，如笔记本电脑，台式机和包括汽车在内的工业解决方案，所有这些都是DDR2的两倍。
低功耗，高效的DRAM解决方案
- 与DDR2相比，功耗降低了30％
三星K4B4G1646D-BCK0业界首款30纳米级DRAM功耗更低，与上一代产品相比，功耗降低了30％，从而降低了总体拥有成本。
K4B4G1646D-BCK0的特征：
•可编程CAS延迟（CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13
•可编程附加延迟：0，CL-2或CL-1时钟
•可编程CAS写延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6
•内部（自校准）：通过ZQ引脚进行内部自校准
（RZQ：240欧姆±1％）
•使用ODT引脚进行裸片端接
•在低于T平均更新周期7.8us 85C，3.9us在85C<TCASE<95C
•支持工业温度（-40~95°C）- tREFI 7.8us，-40°C≤TCASE≤85°C，- tREFI 3.9us，85°C <TCASE≤95°C
•异步复位
K4B4G1646D-BCK0技术规格：
Kynix部分＃ KY32-K4B4G1646D-BCK0
制造商零件编号 K4B4G1646D-BCK0
制造商 三星
数量 4600 PCS
无铅 无铅
RoHS： 符合RoHS标准
接口类型 SSTL_1.5
DRAM类型 DDR3 SDRAM
最大时钟频率（MHz） 1600
地址总线宽度（位） 18
最低工作电源电压（V） 1.425
典型工作电源电压（V） 1.5
最大工作电源电压（V） 1.575
工作电流（mA） 118
工作温度（°C） 0~ 95
I / O行数（位） 16
供应商包装 FBGA
标准包装名称 BGA
针数 90
安装 表面贴装
包装长度/宽度 13.3/7.5
